Інформація Nikota META-2000: Заміна SiC MOSFET (SCT3030AL) на звичайний кремній (Si)?

[Lelayy2024]

Ремонтую зарядну станцію Nikota META-2000. У високовольтному H-мості вилетіло плече — пробило силовий MOSFET SCT3030AL (650 В, 70 А, 30 мОм). На «закуску» це SiC (Карбід кремнію) від ROHM.
Конфігурація моста з заводу гібридна: 2 шт. звичайних кремнієвих суперперехідних (Si)

Будь ласка, зробіть Вхід або Реєстрування , щоб переглянути вміст URL-адреси!

працюють на низькій частоті 50 Гц, а 2 шт. оцих SiC

Будь ласка, зробіть Вхід або Реєстрування , щоб переглянути вміст URL-адреси!

молотять на високочастотному ШІМ.
Оскільки дістати SiC - той ще квест, виникло суто практичне питання. Хтось мав реальний досвід заміни SiC на звичайний «кремній» аналогічної потужності в цих станціях?
Я чудово розумію теорію і різницю:

1. Рівні керування затвором: У SiC напруга повного відкриття вища (близько 18V), а поріг V_GS(th) та ємності затвора суттєво відрізняються від класичного Si. Є ризик, що драйвер Nikota просто не закриє або недоперезарядить кремнієвий аналог на високій частоті.
2. Паразитний діод: Тут порівнювати не варто. Час зворотного відновлення (t_rr) у діода SiC майже нульовий, що критично для реверсивного режиму (коли станція працює як зарядка/PFC від розетки). Звичайний кремнієвий діод на частотах ШІМ у реверсі швидко влаштує КЗ через динамічні втрати.

Питання до практиків:
Наскільки критичною є ця різниця саме в архітектурі Nikota META-2000? Якщо станцію використовувати суто в режимі інвертора (без увімкнення реверсної зарядки від мережі), чи є шанси, що якісний кремнієвий MOSFET із низьким R_DS(on) там виживе хоча б тимчасово? Чи він вибухне на перших хвилинах через важкі режими перемикання драйвера та динамічний нагрів?
Буду вдячний за реальні кейси, експерименти або поради.
Дякую!

---

 

[Porter]

Схожу тему уже обговорювали. Але пробувати ніхто поки не наважився.
Думаю, частоти там нічим не відрізняються від класичної реалізації. А зі всім решту тре пробувати/підганяти.